お知らせ 応用物理学会 2015年03月11日 応用物理学会にて、高林 昂紀君、山堀 俊太君、勝俣 洋典君、橋本 秀明君が発表しました。 高林 昂紀(修士2年) 「熱酸化を用いた表面不活性化による引っ張り歪みGe on Siの発光強度増大」 山堀 俊太(修士2年) 「高空間分解能HXPESとXPSによる歪み及び組成がSiGe価電子帯に与える影響の検出」 勝俣 洋典(修士2年) 「Pのin-situドーピングにより作製したn型GOIの電気伝導特性」 橋本 秀明(学部4年) 「引っ張り歪みGOIのCMP薄膜化による発光強度増大」