お知らせ

2016年 秋 応用物理学会

新潟市の朱鷺メッセにて開催された応用物理学会にて、M2 佐藤君、橋本君、加藤さん、M1 大久保君、大野君、篠塚君、4年高橋さんが発表しました。

「高濃度n型ドープGeマイクロディスクの共振フォトルミネセンス」

橋本 秀明、徐 学俊、澤野 憲太郎、丸泉 琢也

「ヘテロ接合型Si太陽電池の開放電圧の制限要素」

佐藤 綾祐、澤野 憲太郎、Porponth Sichanugrist、中田 和吉、小長井 誠

「Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果」

加藤 まどか、村上 太陽、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和、澤野 憲太郎

「Epitaxial Lift-Off (ELO)法を用いたGOI基板の作製」

大久保 亮太、徐 学俊、澤野 憲太郎、丸泉 琢也

「GOI上歪み円形マイクロブリッジの発光特性」

大野 剛嗣、徐 学俊、澤野 憲太郎、丸泉 琢也

「Siナノウォール構造の作製」

篠塚 敦史、徐 学俊、澤野 憲太郎、吉葉 修平、平井 政和、市川 幸美、小長井 誠

「多接合波長スプリッティング太陽電池の実現に向けた屋外発電特性評価」

高橋 怜美、澤野 憲太郎、Porponth Sichanugrist、熊田 昌年、渡辺 晴菜、植田 譲、小長井 誠

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