2025年5月26日～30日にフランスはストラスブールにて開催されたE-MRS国際会議で、M2の溝口君、横木君が発表しました。
R. Yokoki, S. Sano, M. Aikawa, H. Imai, S. Kikuoka, K. Sawano
“Strong room temperature electroluminescence from strained SiGe/Ge p-i-n diodes on strained GOI formed by layer transfer”
R. Mizoguchi, M. Nagao, Y. Shibahara, M. Aikawa, M. Yamada, K. Hamaya, K. Sawano
“Formation of crack-free strained SiGe/Ge by selective ion implantation”
