国内会議 | 東京都市大学ナノエレクトロニクス研究室澤野研究室

国内会議 (～2024)

第85回応用物理学会秋季学術講演会新潟朱鷺メッセ 2024年9月

[16a-A25-8]
Ge-on-Si を用いたマイクロブリッジ上の金属薄膜堆積による効果
小田島綾華、井上貴裕、石川陸、澤野憲太郎

[19a-P07-4]
SiGe/Ge 多重量子井戸 LED における EL 発光特性の障壁層厚依存性
相川茉由、菊岡柊也、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[20p-C43-7]
パターニングした Si(111)基板上に成長した P ドープ歪み SiGe/Ge の電気伝導特性
武井爽一郎、菊岡柊、奥谷惇、石橋脩悟、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[19p-B5-1]
Ge-on-Si(111)へのクラック発生の観測とその抑制
芝原夕夏、菊岡柊也、長尾優希、溝口稜太、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[19p-B5-2]
選択的イオン注入による Si(111)上の歪み SiGe/Ge へのクラック伝搬抑制
溝口稜太、長尾優希、芝原夕夏、相川茉由、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[19p-B5-3]
Ge-on-Insulator 上マイクロブリッジの作製と共振発光の観測
吉川修、井上貴裕、小田島綾華、石川陸、横木亮河、澤野憲太郎

[19p-B5-4]
Si 上 Ge p-i-n LED の作製と室温 EL 発光特性
今井広、青木宇宙、菊岡柊也、澤野憲太郎

[19p-B5-5]
Ge on insulator 構造を用いた横型 SiGe スピン伝導素子の作製
大木健司、菊岡柊也、吉川修、鍬釣一、森本敦己、山本圭介、宇佐見喬政、服部梓、澤野憲太郎、浜屋宏平

[19p-B5-6]
Co2FeAl0.5Si0.5/Ge-pn 接合を介した室温スピン信号の観測
大木健司、上田信之介、菊岡柊也、山田道洋、藤井竣平、宇佐見喬政、澤野憲太郎、浜屋宏平

[18a-C301-1]
SiGe 界面と短周期フォノニック結晶ナノ構造による Si 薄膜のσ/κ比の向上
柳澤亮人、小田島綾華、井上貴裕、澤野憲太郎、野村政宏

第71回　応用物理学会春季学術講演会東京都市大学　2024年3月

[23a-1BJ-1]
近・中赤外領域におけるSiマイクロリング共振器のQ値の波長依存性
関祥真、三宅拓磨、徐学俊、澤野憲太郎、眞田治樹

[23p-12J-4]
Si0.1Ge0.9における室温スピン伝導の歪み効果
内藤貴大、山田道洋、我妻勇哉、澤野憲太郎、浜屋宏平

[23a-22A-6]
選択的イオン注入によるGe-on-Si(111)上歪みSiGeへのクラック発生の抑制
長尾優希、小田島綾華、井上貴裕、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[24a-P12-2]
高移動度歪みGeチャネルに向けたSi(111)上SiGeバッファーの形成とクラック発生抑制
吉田雄一、武井爽一郎、澤野憲太郎

[24a-P12-3]
パターニング手法によって形成した歪み SiGe 層内へのクラック発生に対する熱処理の影響
新井聖雅、長尾優希、澤野憲太郎

[24p-21B-5]
SiGe超薄膜界面とフォノニック結晶ナノ構造を用いたシリコン薄膜の低熱伝導率化
柳澤亮人、小池壮太、井上貴裕、澤野憲太郎、野村政宏

第84回　応用物理学会秋季学術講演会熊本城ホール　2023年9月

[22p-P03-2]
Ge-on-SOIを用いた完全浮遊型マイクロブリッジの作製
小田島綾華、井上貴裕、長尾優希、澤野憲太郎

[22p-P03-4]
レーザーマーカを用いたGe-on-Insulator(111)の作製と歪みSiGe再成長
櫻井優一、高松海夕、佐野汐、金澤伶奈1、菊岡柊也、井上貴裕、澤野憲太郎

[22p-P03-5]
Ge-on-Insulator (100)上のSiGe/Ge多重量子井戸の作製と結晶性および光学特性評価
佐野汐音、金澤怜奈、櫻井優一、澤野憲太郎

[23p-A602-5]
Al2O3パッシベーションによるGeマイクロブリッジからの発光強度増大
井上貴裕、小田島綾華、長尾優希、居藤智鷹、吉川修、澤野憲太郎

[23p-A602-6]
Ge-on-Si(111)上の歪みSiGe/Ge多重量子井戸形成における臨界膜厚の増加とクラック発生の抑制
金澤伶奈、菊岡柊也、芝原夕夏、我妻勇哉、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[23p-A602-8]
パターニングを施した Si(111)上への歪み SiGe/Ge の作製と評価
長尾優希、我妻勇哉、井上貴裕、小田島綾華、芝原夕夏、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[22p-P03-3]
超音波による歪みSiGe/Ge-on-Si(111)へのクラック発生
芝原夕夏、金澤怜奈、菊岡柊也、長尾優希、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

第70回　応用物理学会春季学術講演会上智大学　2023年3月

[15p-PA06-3]
Ge-on-Si(111)上の歪みSiGe/Ge多重量子井戸形成におけるクラック発生の抑制
金澤伶奈、我妻勇哉、菊岡柊也、杉浦由和、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[15p-PA06-4]
Gd2O3-on-Si(111)上へのSiGe/Geヘテロ構造の形成と評価
杉本翔悟、我妻勇哉、井上貴裕、徐学俊、澤野憲太郎

[15a-A502-3]
高Q値中赤外Siマイクロリング共振器
三宅拓磨、徐学俊、澤野憲太郎、小栗克弥、眞田治樹

[16p-D511-8]
歪みSiGe/Ge量子井戸LEDのダイオード特性と室温EL発光
菊岡柊也、我妻勇哉、杉浦由和、金澤伶奈、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[16p-D511-9]
Ge-on-Insulator(111)構造の作製におけるレーザーマーカを用いたエッチングレート向上の効果
高松海夕、我妻勇哉、櫻井優一、佐野汐音、澤野憲太郎

[16p-D511-4]
強磁性ホイスラー合金Co2FeSi上へのGeエピタキシャル成長におけるSn添加の効果
楠本修平、山田道洋、山田敦也、我妻勇哉、澤野憲太郎、浜屋宏平

第83回　応用物理学会秋季学術講演会　東北学院　2022年9月

[22p-P06-1]
Ge-on-SOI上のマイクロブリッジの作製と強い共振発光の観測
小田島綾華、井上貴裕、我妻勇哉、池ヶ谷玲雄、長尾優希、澤野憲太郎

[21p-A106-4]
歪み SiGe/Ge(111)に発生したクラックの TEM 観察
田島滉太、山中淳二、有元圭介、原康祐、我妻勇哉、澤野憲太郎

[21p-A106-5]
歪みSiGe/Ge(111)におけるクラック伝搬に与えるメサ・エッチング深さの影響
我妻勇哉、金澤伶奈、Md. Mahfuz Alam、岡田和也、井上貴裕、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[21p-A106-6]
Ge-on-Si(111)上に成長した歪みSiGe層の電気伝導特性に与えるクラック発生の影響
市川大悟、我妻勇哉、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[21p-A106-8]
Ge-on-Si (110)を用いた枝型マイクロブリッジ作製による共振発光の観測
井上貴裕、我妻勇哉、池ヶ谷玲雄、小田島綾華、長尾優希、澤野憲太郎

[21p-A106-9]
二軸歪みGeマイクロブリッジの発光特性におけるスリット導入の効果
駒澤卓哉、池ヶ谷玲雄、井上貴裕、我妻勇哉、澤野憲太郎

[21p-A106-10]
歪みSiGe/Ge-on-Si(111)LEDからの強い室温EL発光の観測
菊岡柊也、我妻勇哉、杉浦由和、金澤伶奈、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[21p-A106-11]
Ge-on-Si(100)上のSiGe/Ge多重量子井戸の作製とその光学特性
金澤伶奈、我妻勇哉、菊岡柊也、杉浦由和、澤野憲太郎

[22p-P11-1]
階層的ナノ多孔層ガラス基板を用いたPドープGeナノ結晶の形成と発光特性
長尾優希、井上貴裕、小田島綾華、我妻勇哉、藤間卓也、澤野憲太郎

[22p-P11-2]
メッシュ型パッドを有する歪みGeマイクロブリッジの発光特性にホールサイズが与える影響
池ヶ谷玲雄、井上貴裕、駒澤卓哉、我妻勇哉、澤野憲太郎

[22p-P11-3]
Ge-on-Si(111) LEDからの室温EL発光ピークに注入電流が与える影響
杉浦由和、菊岡柊也、我妻勇哉、金澤玲奈、星裕介、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[20a-C202-3]
歪み印加半導体薄膜のヘテロ成長におけるクラック発生とその抑制メカニズム
我妻勇哉、金澤伶奈、Md. Mahfuz Alam、岡田和也、井上貴裕、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

第69回　応用物理学会春季学術講演会　青山学院　2022年3月

[26a-P05-3]
メサパターン上の歪みSiGe膜へのクラック発生におけるエッチング深さの影響
我妻勇哉、Md. Mahfuz Alam、岡田和也、金澤伶奈、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[26a-P05-4]
Geマイクロブリッジ上への歪みSiGe成長と発光特性
井上貴裕、我妻勇哉、池ヶ谷玲雄、岡田和也、澤野憲太郎

[23p-E205-10]
Long-distance spin-drift transport in strained SiGe
Takahiro Naito、Kazuaki Kawashima、Michihiro Yamada、Youya Wagatsuma、Shinya Yamada、Kentarou Sawano、Kohei Hamaya

[22a-E203-4]
hBN/MoS2積層構造を利用したナノ機械共振器の電気機械特性
千葉カルビン健人、澤野憲太郎、渡邊賢司、谷口尚、藤田博之、星裕介

[25p-D114-1]
縦型半導体スピン素子を目指したCo2FeSi上の高品質Ge成長と室温磁気抵抗比の増大
山田敦也、山田道洋、山田晋也、澤野憲太郎、浜屋宏平
[25p-D114-16]
歪みSi/緩和 SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETの高正孔移動度化とリーク電流の低減
藤澤泰輔、各川敦史、堀内未希、坂田千尋、山中淳二、原康祐、澤野憲太郎、中川清和、有元圭介

第82回　応用物理学会秋季学術講演会　オンライン開催　2021年9月

[10p-N202-3]
歪みSiGe/Ge(111)におけるクラック形成と伝搬方向制御
我妻勇哉、Md. Mahfuz Alam、岡田和也、金澤伶奈、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[10p-N202-9]
歪み緩和SiGe/Si(111)バッファー層の作製とアニールの効果
岡田和也、我妻勇哉、山田航大、井上貴裕、澤野憲太郎

[10p-N202-12]
歪みGeマイクロブリッジにおける端面共振発光の観測
井上貴裕、我妻勇哉、池ヶ谷玲雄、岡田和也、澤野憲太郎

[10p-N202-5]
Ge-on-Si(111)LEDの熱処理による室温EL発光強度増大
杉浦由和、佐々木雅至、我妻勇哉、山田航大、星裕介、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[10p-N202-6]
Ge-on-Si(100) p-i-nダイオードの室温 EL 発光における i-Ge 層膜厚の影響
佐々木雅至、杉浦由和、我妻勇哉、澤野憲太郎、山田航大

[10p-N202-13]
メッシュ型パッドを有する歪みGeマイクロブリッジ構造の作製と発光特性
池ヶ谷玲雄、井上貴裕、佐々木雅至、我妻勇哉、澤野憲太郎

[10p-N202-17]
縦型半導体スピン素子のための単結晶Co2FeSi上Ge 薄膜の高品質化
山田敦也、山田道洋、山田晋也、澤野憲太郎、浜屋宏平

第68回応用物理学会春季学術講演会　オンライン 2021年 3月

[17p-Z33-1]
n-situドーピング制御によるGe-on-Siからの室温EL発光
山田航大、星裕介、澤野憲太郎

[17a-Z17-6]
歪・組成制御エピタキシャルSiGe薄膜の熱電特性
谷口達彦、石部貴史、我妻勇哉、澤野憲太郎、山下雄一郎、中村芳明

[16a-Z10-9]
高Q値中赤外Siマイクロディスク共振器
三宅拓磨、徐学俊、澤野憲太郎、丸泉琢也、俵毅彦、後藤秀樹

[16p-P02-2]
歪みGeマイクロブリッジ構造の発光特性に及ぼす一軸歪み方向の影響
井上貴裕、我妻勇哉、山田航大、澤野憲太郎

[18p-Z31-13]
二テルル化モリブデンのhBN封止構造における熱安定性
林田隼弥、野上田聖、渡邊賢司、谷口尚、澤野憲太郎、星裕介

[16p-P02-4]
Ge基板に替わりGe-on-Siを用いることによる歪みSiGeへのクラック発生抑制
我妻勇哉、Md. Mahfuz Alam、岡田和也、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[16p-P02-3]
歪みGe-on-Si(111)ダイオード構造からの室温EL発光
杉浦由和、我妻勇哉、山田航大、星祐介、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

第81回応用物理学会秋季学術講演会　オンライン　2020年9月

[9p-Z12-17]
In-situドーピング制御によるGe-on-Siからの室温EL発光
山田航大、星裕介、澤野憲太郎

[10a-Z29-9]
イオン注入と熱処理による金属相MoTe2の形成
野上田聖、林田隼弥、澤野憲太郎、星裕介

[8p-Z18-7]
熱電出力因子増大に向けたエピタキシャルCoSi2ナノドット含有SiGe薄膜の開発
細田凌矢、水田光星、石部貴史、Md. Mahfuz Alam、澤野憲太郎、中村芳明

[11a-Z29-6]
熱処理によるhBN/単層MoTe2ヘテロ構造の界面不純物除去
林田隼弥、渡邊賢司、谷口尚、澤野憲太郎、星裕介

[9p-Z12-14]
選択成長を用いたGe-on-Si(111)基板上への高品質な歪みSiGe層の作製
我妻勇哉、Md. Mahfuz Alam、岡田和也、星裕介、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[9p-Z12-18]
歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける正孔移動度のチャネル方向依存性
藤澤泰輔、各川敦史、浪内大地、佐野雄一、泉大輔、山中淳二、原康祐、澤野憲太郎、中川清和、有元圭介

第67回応用物理学会春季学術講演会　上智大学　東京　2020年 3月

[12p-D519-8]
GOI基板作製における貼り合わせ後熱処理の影響
柴田翔吾、石川亮佑、星裕介、澤野憲太郎

[14a-A404-4]
単層MoTe2のhBN封止構造における熱処理による光学特性への影響
林田隼弥、齋藤梨沙、渡邊賢司、谷口尚、澤野憲太郎、星裕介

[13a-D511-5]
Si-rich SiGe/Si超格子における高熱電出力因子の要因
谷口達彦、石部貴史、Md. Mahfuz Alam、澤野憲太郎、中村芳明

[12p-D519-6]
Ge-on-Si基板のパターニングによる歪みSiGe層中クラック発生の抑制
我妻勇哉、Md. Mahfuz Alam、岡田和也、星裕介、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[13a-D511-6]
ナノ構造化Si薄膜における構造制御による高熱電性能化
坂根駿也、石部貴史、成瀬延康、目良裕、Alam Md. Mahfuz、澤野憲太郎、中村芳明

第80回応用物理学会秋季学術講演会　北海道大学　札幌　2019年9月

[19p-E313-7]
In-situ ドープによる Ge-on-Si(111)の n 型伝導制御
水口俊希、大島修一郎、澤野憲太郎

[19p-E313-6]
P ドープ Ge-on-Si における拡散ストップ層挿入の効果
山田航大、熊澤裕太、丸泉琢也、澤野憲太郎

[18p-PA2-1]
ナノ多孔層ガラス基板を利用したGeナノドットの作製
石井大介、下田麻由、伊藤匠、星裕介、藤間卓也、澤野憲太郎

[18a-PA5-3]
サブ波長格子構造を有するSi中赤外導波路
大迫力人、徐学俊、忠永修、澤野憲太郎、丸泉琢也、俵毅彦、後藤秀樹

[19p-E307-7]
欠陥制御によるナノ結晶含有Si薄膜の熱電特性改善
坂根駿也、石部貴史、成瀬延康、目良裕、Md. Mahfuz Alam、澤野憲太郎、中村芳明

[21p-E201-7]
hBN/1L-WSe2/hBN構造の光取り出し効率の改善
林田隼弥、渡邊賢司、谷口尚、増渕覚、守谷頼、町田友樹、澤野憲太郎、星裕介

[19p-E313-4]
Ge-on-Si(111) 及びGe(111) 基板上の歪みSi1-xGexの臨界膜厚
我妻勇哉、Md. Mahfuz Alam、岡田和也、星裕介、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[19p-E313-9]
歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける電界効果移動度の歪みSi膜厚依存性
藤澤泰輔、各川敦史、浪内大地、斎藤慎吾、佐野雄一、泉大輔、山中淳二、原康祐、澤野憲太郎、中川清和、有元圭介

[19p-E313-8]
歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造の反転キャリアのHall移動度評価
浪内大地、澤野憲太郎、各川敦史、佐野雄一、泉大輔、有元圭介、山中淳二、原康祐、中川清和

第66回応用物理学会春季学術講演会　東京工業大学　2019年3月

[12p-M113-9]
ガラス上へのGe貼り合わせにおける界面アモルファス層挿入の効果
小野貴史1、高藤裕1、澤野憲太郎

[9p-W371-3]
温度と組成に依存するSi1-xGexナノワイヤ中の準弾道的熱輸送
岡本昂、柳澤亮人、マハフーズアラム、澤野憲太郎、黒澤昌志、野村政宏

[10a-W351-4]
高出力因子Si-rich SiGe/Si超格子における更なる低熱伝導率化
谷口達彦、石部貴史、Md. Mahfuz Alam、澤野憲太郎、中村芳明

[12a-PB3-3]
水素ラジカル加熱を用いたガラス基板上Poly-Si形成技術開発
中家大希1、斎藤慎吾1、荒井哲司1、上村和貴1、有元圭介1、原康祐1、山中淳二1、中川清和1、高松利行2、澤野憲太郎3

第79回応用物理学会秋季学術講演会　名古屋国際会議場　名古屋　2018年9月

[20p-234B-6]
低温におけるSiGeナノワイヤー中の熱輸送に関する考察
岡本昂、柳澤亮人、アラムマハフーズ、澤野憲太郎、野村政宏

[19p-PB7-1]
選択エッチングを用いた歪みSiGe(111)-On-Insulator基板の作製
大島修一郎、坂本優、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[18p-235-9]
Ge量子ドットを有する円形DBR微小共振器構造の発光特性
石井大介、水谷昂平、原田波子、徐学俊、丸泉琢也、澤野憲太郎

[18p-235-11]
ウェットエッチングによる歪みGeマイクロブリッジの作製
田村亮貴、大久保亮太、徐学俊、丸泉琢也、澤野憲太郎

[21p-131-1]
[優秀論文賞受賞記念講演] Room-temperature spin transport in n-Ge probed by four-terminal nonlocal measurements
山田道洋、塚原誠人、藤田裕一、内藤貴大、山田晋也、澤野憲太郎、浜屋宏平

[19p-PB7-3]
伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のゲート電圧印加Hall測定による移動度評価
浪内大地、佐藤圭、澤野憲太郎、有元圭介、山中淳二、原康祐、中川清和

第65回応用物理学会春季学術講演会　早稲田大学　2018年3月

[19p-P10-1]
歪みGeチャネル構造におけるPドープを用いたパラレル伝導の抑制
澤田浩介、高士孝司、ミロノフマクシム、澤野憲太郎

[18a-D101-2]
ヘテロ接合型Si太陽電池のElectroluminescence特性
近藤嶺、澤野憲太郎、市川幸美、小長井誠

[20a-F214-5]
In-situ n型ドープGe-on-Siにおけるポストアニールの影響
熊澤祐太、徐学俊、澤野憲太郎、丸泉琢也

[19a-B201-1]
Ge中赤外光グレーティングカプラ
大迫力人、徐学俊、澤野憲太郎、丸泉琢也

[19p-P10-5]
Ge(111)基板上の歪みSi1-xGex膜成長と臨界膜厚の評価
坂本優、山田道洋、浜屋宏平、澤野憲太郎

[19p-P10-6]
MBEとALDによるAl2O3/歪みGeチャネル構造の形成と電気特性評価
佐藤慶次郎、繁澤えり子、岩永洋斗、マクシムミロノフ、澤野憲太郎

[20p-C304-8]
SiGeナノワイヤーにおける弾道的熱輸送
岡本昂、柳澤亮人、アラムマハフーズ、澤野憲太郎、野村政宏

[19a-G203-6]
Room-temperature spin transport in n-Ge probed by four-terminal nonlocal measurements
山田道洋、塚原誠人、藤田祐一、内藤貴大、山田晋也、澤野憲太郎、浜屋宏平

[17a-F102-10]
ナノ構造化Si 薄膜における出力因子決定機構
坂根駿也, 渡辺健太郎, 成瀬延康, Md. Mahfuz Alam, 澤野憲太郎, 森伸也, 中村芳明

[17a-F102-9]
界面制御によるSi/SiGe超格子の出力因子操作
谷口達彦，渡辺健太郎，Md. Mahfuz Alam, 澤野憲太郎，中村芳明

第78回応用物理学会秋季学術講演会　福岡国際会議場　福岡　2017年9月

[8p-C19-4]
二段階成長法を用いたSi(110)基板上Ge層の作製と評価
大木健司、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎

[6a-PA9-1]
エピタキシャルGe上の直接ALDによるAl2O3層の形成と評価
繁澤えり子、佐野良介、池上和彦、澤野憲太郎、野平博司

[5p-A503-5]
ナノドット含有Si薄膜の熱電特性に与える熱処理の影響
坂根駿也、渡辺健太郎、藤田武志、Md. Mahfuz Alam、澤野憲太郎、中村芳明

[5p-A503-4]
組成制御によるSiGe/Si超格子の出力因子増大
谷口達彦、奥畑亮、渡辺健太郎、Md. Mahfuz Alam、澤野憲太郎、藤田武志、中村芳明

[7p-PA9-4]
Siキャップ/Ge量子ドット積層構造のXPS評価
花田直士、田中彰博、新藤恵美、徐学俊、澤野憲太郎、野平博司、丸泉琢也

[6a-C18-4]
低RAショットキートンネル接合電極を用いたn-Ge中の室温スピン伝導検出
塚原誠人、山田道洋、藤田裕一、内藤貴大、山田晋也、澤野憲太郎、浜屋宏平

[7p-PA9-3]
Ge量子ドットへのP-Spin-on-Dopingが発光特性に与える効果
原田波子、徐学俊、澤野憲太郎、丸泉琢也

[6p-C13-4]
Spin-on-dopant拡散によるGeダイオードの電流注入での発光
岡重柊汰、徐学俊、澤野憲太郎、丸泉琢也

第64回応用物理学会春季学術講演会　パシフィコ横浜　2017年3月

[16a-F204-2] An Optical
Resonator for Tensile-strained Ge Microbridge by Using Multimode Interference Coupler Loop Mirrors
徐学俊、松下奨、澤野憲太郎、丸泉琢也

[15a-422-2]
波長スプリッティング太陽電池ボトムセルへの応用を目指したヘテロ接合Ge太陽電池
大谷俊貴、佐藤綾祐、澤野憲太郎、小長井誠

[15p-E206-8]
ナノドット含有Si薄膜における構造と出力因子の関係
坂根駿也、渡辺健太郎、藤田武志、澤野憲太郎、中村芳明

[15p-P14-8]
高空間分解能HXPESによるGe 2p内殻準位の結合エネルギーに歪みが与える影響の検出
佐野良介、此島志織、滝沢耕平、澤野憲太郎、野平博司

[15a-422-3]
InGaP//Si波長スプリッティング太陽電池の屋外発電特性
高橋怜美、澤野憲太郎、熊田昌年、渡辺晴菜、山田繁、植田譲、小長井誠

第77回応用物理学会秋季学術講演会　朱鷺メッセ　新潟　2016年9月

[14p-B12-13]
SiGe フォノニック結晶におけるナノスケール熱伝導
野村政宏、中川純貴、澤野憲太郎

[15a-P8-4]
高濃度n型ドープGeマイクロディスクの共振フォトルミネセンス
橋本秀明、徐学俊、澤野憲太郎、丸泉琢也

[16a-A24-9]
ヘテロ接合型Si太陽電池の開放電圧の制限要素
佐藤綾祐、澤野憲太郎、Porponth Sichanugrist、中田和吉、小長井誠

[14a-B12-2]
Si薄膜中エピタキシャルGeナノドット積層構造における熱伝導率の低減
渡辺健太郎、山阪司祐人、澤野憲太郎、中村芳明

[15p-A35-14]
鉄シリサイドナノドット積層構造の制御による熱電物性向上
坂根駿也、渡辺健太郎、藤田武志、澤野憲太郎、中村芳明

[16a-D61-5]
Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果
加藤まどか、村上太陽、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎

[16a-D61-2]
Epitaxial Lift-Off (ELO)法を用いたGOI基板の作製
大久保亮太、徐学俊、澤野憲太郎、丸泉琢也

[14a-C41-4]
Electrical spin injection and detection in n+-Ge using Schottky tunnel contacts
藤田裕一、山田道洋、山田晋也、金島岳、澤野憲太郎、浜屋宏平

[15a-P8-6]
GOI上歪み円形マイクロブリッジの発光特性
大野剛嗣、徐学俊、澤野憲太郎、丸泉琢也

[13a-D61-6]
Siナノウォール構造の作製
篠塚敦史、徐学俊、澤野憲太郎、吉葉修平、平井政和、市川幸美、小長井誠

[14a-A24-9]
多接合波長スプリッティング太陽電池の実現に向けた屋外発電特性評価
高橋怜美、澤野憲太郎、Porponth Sichanugrist、熊田昌年、渡辺晴菜、植田譲、小長井誠

[15p-P11-8]
イオン注入歪み緩和法を用いて形成したSi/Si1-xCx/Si(001)構造の結晶性評価
村上太陽、有元圭介、山中淳二、原康祐、山本千綾、宇佐美徳隆、星裕介、有澤洋、澤野憲太郎、中川清和

[15p-P11-7]
伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造の結晶成長中における表面形状形成過程に関する研究
山田崇峰、宇津山直人、佐藤圭、白倉麻衣、山本千綾、有元圭介、山中淳二、原康祐、宇佐美徳隆、澤野憲太郎、中川清和

第63回応用物理学会春季学術講演会　東京工業大学　2016年3月

[21p-P17-5]
SiGeストップ層を用いた歪みGe-On-Insulator構造の形成技術開発
矢島佑樹、澤野憲太郎

[21p-P9-5]
貼り合わせ法による一軸性歪みSiGe-on-Insulator(SGOI)の作製
松尾拓哉、澤野憲太郎

[20p-W323-5]
アモルファスSiGeフォノニック結晶ナノ構造の熱伝導
中川純貴、Jeremie Maire、澤野憲太郎、野村政宏

[21p-P16-11]
円形マイクロブリッジ構造によるGOIの二軸引っ張り歪み増強
松下奨、徐学俊、澤野憲太郎、丸泉琢也

[20a-H112-10]
イオン注入を利用した圧縮歪みSi/緩和Si1-xCxヘテロ構造の作製におけるイオン注入条件の検討
有澤洋、澤野憲太郎、宇佐美徳隆

[21p-P16-12]
Ge量子ドット/Si界面へのPデルタドーピングが発光特性とドット形成に与える影響
渡邊幸樹、徐学俊、澤野憲太郎、丸泉琢也

[20p-W323-12]
エピタキシャルGeナノドット含有Si構造を用いたSi系熱電材料の性能向上
山阪司祐人、渡辺健太郎、澤野憲太郎、竹内正太郎、酒井朗、中村芳明

[21a-P8-22]
高効率GaInP//Si低倍率集光型・波長スプリッティング太陽電池
久保田智也、佐藤綾祐、澤野憲太郎、Sichanugrist Porponth、小長井誠

[22a-W321-7]
低倍率集光型Siヘテロ接合太陽電池の動作解析
佐藤綾祐、櫻井健太、澤野憲太郎、Sichanugrist Porponth、中田和吉、小長井誠

[20p-H112-5]
選択的イオン注入法で作製した一軸性歪Geの異方性応力評価
山本章太郎、武内一真、小瀬村大亮、此島詩織、澤野憲太郎、小椋厚志

[21p-P9-7]
微傾斜基板を用いた伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のモフォロジー及び素子特性
宇津山直人、佐藤圭、山田崇峰、有元圭介、山中淳二、中川清和、原康介、宇佐美徳隆、澤野憲太郎

第76回応用物理学会秋季学術講演会　名古屋国際会議場　2015年9月

[15a-1E-2]
バイオテンプレート極限加工によるSi1-xGexナノディスクの作製と特性評価
藤井拓也、澤野憲太郎、寒川誠二

[14a-2N-4]
GOIマイクロディスクにおけるHigh-Q値共振フォトルミネセンス
橋本秀明、徐学俊、澤野憲太郎、丸泉琢也

[14a-2Q-9]
中性粒子ビームエッチング技術を用いたSi量子ドットの作製と熱伝導特性
菊池亜紀応、八尾章史、毛利勇、中村雅一、山下一郎、澤野憲太郎、寒川誠二、小野崇人

[13p-2T-5]
エピタキシャルGeナノドット含有Si薄膜における熱電特性制御
山阪司祐人、渡辺健太郎、澤野憲太郎、竹内正太郎、酒井朗、中村芳明

[13p-2W-4]
Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果
加藤まどか、村上太陽、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎

[13p-2W-5]
イオン注入による欠陥制御を用いて作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx ヘテロ構造の熱的安定性
有澤洋、星裕介、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎、宇佐美徳隆

[13p-2W-6]
PデルタドープしたGe基板の３次元アトムプローブ評価
清水康雄、山田道洋、韓斌、涂远、澤野憲太郎、植松真司、伊藤公平、井上耕治、永井康介

第62回応用物理学春季学術講演会　東海大学　2015年3月

[12a-D5-4]
Arイオン注入法を用いた圧縮歪みSi/緩和Si1-xCxヘテロ構造の作製
有澤洋、星裕介、藤原幸亮、山中淳二、有元圭介、中川清和、澤野憲太郎、宇佐美徳隆

[12p-A16-3]
熱酸化を用いた表面不活性化による引っ張り歪みGe on Siの発光強度増大
高林昂紀、徐学俊、澤野憲太郎、丸泉琢也

[12a-D5-5]
n-GeへのPデルタドーピングにおけるSi挿入によるその偏析抑制効果
山田道洋、澤野憲太郎、植松真司、伊藤公平

[12p-P17-2]
高空間分解能HXPESとXPSによる歪み及び組成がSiGe価電子帯に与える影響の検出
山堀俊太、笹子知弥、米倉瑛介、澤野憲太郎、池永英司、野平博司

[12p-P17-3]
イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価
中込諒、酒井翔一朗、藤原幸亮、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、星裕介、澤野憲太郎

[12p-P17-4]
伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)の表面モフォロジーへの成長速度の影響
宇津山直人、佐藤圭、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、澤野憲太郎

[12p-P17-5]
歪みSi/Si1-xCx/Si(001)ヘテロ構造の結晶性と不純物活性化過程との関係
藤原幸亮、酒井翔一朗、小林昭太、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、星裕介、澤野憲太郎

[12p-P17-7]
Pのin-situドーピングにより作製したn型GOIの電気伝導特性
勝俣洋典、長嶋智典、浜屋宏平、澤野憲太郎

[13p-P11-14]
水素ラジカルによるW、Niの選択加熱を用いたa-Siの固相成長法とTFTの作製
上村和貴、荒井哲司、有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、中家大希、中川清和、高松利行、澤野憲太郎

[13p-P18-17]
引っ張り歪みGOIのCMP薄膜化による発光強度増大
橋本秀明、徐学俊、澤野憲太郎、丸泉琢也

第75回応用物理学会秋季学術講演会　北海道大学　2014年9月

[17a-PB2-2]
水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱とそのデバイス応用
上村和貴，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，高松利行，澤野憲太郎

[18p-PB8-1]
歪Geマイクロブリッジの作製と評価
滝澤寛之，徐学俊，白木靖寛，澤野憲太郎，丸泉琢也

[18p-PB10-4]
伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)の微細構造および電気的特性への熱処理の影響
宇津山直人，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，澤野憲太郎

[18p-PB10-6]
イオン注入法で作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(001)構造の結晶性及びデバイス特性評価
中込諒，酒井翔一朗，藤原幸亮，古川洋志，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，星裕介，澤野憲太郎

[18p-PB10-7]
歪みSi/Si1-XCx/Si(001)構造の不純物活性化過程における結晶性及び電気特性評価
藤原幸亮，酒井翔一朗，古川洋志，井上樹範，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，星裕介，澤野憲太郎

[18p-PB10-8]
高空間分解能HXPESによる一軸歪み量の違いがSiGe価電子帯に与える影響の検出
山堀俊太，櫻井拓也，米窪駿，荒井仁，澤野憲太郎，池永英司，野平博司

[18p-PB10-10]
選択的イオン注入法によるサブミクロン領域でのSiGe歪み制御
船橋直貴，中川清和，澤野憲太郎

[18p-PB10-11]
Al2O3をゲート絶縁膜とした歪みGe MOS構造の電気特性
深山剛，田中伸乃介，田中貴久，ミロノフマクシム，牧秀之，伊藤公平，澤野憲太郎

[19a-A16-4]
液浸ラマン分光法による選択的イオン注入により作製された一軸歪SiGe/Siの異方性2軸応力評価
山本章太郎，小瀬村大亮，富田基裕，武内一真，横川凌，米倉瑛介，澤野憲太郎，野平博司，小椋厚志

[19a-A16-10]
貼り合わせ法による高移動度歪みGOIの作製
長嶋智典，勝俣洋典，浜屋宏平，宮尾正信，澤野憲太郎

[19a-A26-1]
「講演奨励賞受賞記念講演」
n型ドープ引っ張り歪みGOIの作製と発光特性の評価
西田圭佑，徐学俊，高林昂紀，吉田圭佑，澤野憲太郎，白木靖寛，丸泉琢也

第61回応用物理学春季学術講演会　青山学院大学　2014年3月

[17a-E7-52]
Highly efficient detection of pure spin currents in n-Ge using L21-Co2FeSi Heusler-compound electrodes
藤田裕一，笠原健司，山田晋也，澤野憲太郎，宮尾正信，浜屋宏平

[17a-PG2-1]
Cap-Si/圧縮歪みSiGeチャネル/Si(110)ヘテロ構造を有するp-MOSFETの界面準位密度と正孔移動度に与えるCap-Si膜厚の影響
小幡智幸，有元圭介，山中淳二，中川清和，澤野憲太郎

[17a-PG2-2]
圧縮歪みSi/Si1-XCX/Si(100)ヘテロ構造における炭素傾斜組成の電気伝導特性への効果
酒井翔一朗，古川洋志，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，星裕介，澤野憲太郎

[17a-PG2-3]
不純物イオン注入および熱処理がSi1-xCx層の結晶性に及ぼす影響
藤原幸亮，酒井翔一朗，古川洋志，井上樹範，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，星裕介，澤野憲太郎

[17a-PG2-4]
イオン注入法がSi1-XCX/Si(001)構造の欠陥形成過程に及ぼす効果
中込諒，酒井翔一朗，藤原幸亮，古川洋志，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，星裕介，澤野憲太郎

[18p-F6-6]
Pデルタドープによるn型Geへの極浅オーミック接触の形成
山田道洋，竹内嘉寛，澤野憲太郎，伊藤公平

[18p-PA8-1]
水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱を用いた多結晶Si膜形成とデバイスプロセス応用
中家大希，上村和貴，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，高松利行，澤野憲太郎

[19a-E11-2]
SiO2上に形成したGe膜の発光特性評価
上方聖矢，徐学俊，澤野憲太郎，白木靖寛，丸泉琢也

[19a-E11-3]
Ge量子ドット/Si界面へのPデルタドーピングと発光特性評価
中間達哉，徐学俊，澤野憲太郎，白木靖寛，丸泉琢也

[19a-E11-6]
n型ドープ引っ張り歪みGOIの作製と発光特性の評価
西田圭佑，徐学俊，高林昂紀，吉田圭佑，澤野憲太郎，白木靖寛，丸泉琢也

[19a-F8-10]
シリコンマイクロディスクを用いた熱光学効果型光変調器
田村侑也，徐学俊，澤野憲太郎，丸泉琢也

第74回応用物理学会秋季学術講演会　同志社大学　2013年9月

[17p-P2-47]
水素ラジカルを用いた遷移金属の選択加熱現象による薄膜トランジスタ用多結晶Si形成
中家大希，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，高松利行，澤野憲太郎，白木靖寛

[17p-P8-2]
固相成長法によるCap-Si/SiGe/Si(110)ヘテロ構造の形成と界面準位及び移動度の評価
小幡智幸，有元圭介，山中淳二，中川清和，星裕介，澤野憲太郎，白木靖寛

[17p-P8-3]
高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出
山堀俊太，澤野憲太郎，池永英司，白木靖寛，野平博司

[17p-P8-4]高品質圧
縮歪みSiGe/Si(110)の形成とnMOSFETの電子移動度評価
井門賢輔，小幡智幸，有元圭介，山中淳二，中川清和，澤野憲太郎，白木靖寛

[18a-B4-8]
貼り合わせ法により作製した歪みGOI構造の電気特性
長嶋智典，勝俣洋典，遠藤冴己，山田晋也，浜屋宏平，宮尾正信，白木靖寛，澤野憲太郎

[18a-B4-9]
圧縮歪みSi/Si1-XCX/Si(100)ヘテロ構造における結晶欠陥形成過程の研究
酒井翔一朗，古川洋志，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，星裕介，澤野憲太郎，白木靖寛

[18a-B4-10]
選択的イオン注入法による高Ge組成一軸歪みSiGeの形成
米倉瑛介，荘司雄太郎，中川清和，白木靖寛，澤野憲太郎

[19p-P8-7]
HEPESによるFe3Si/Geヘテロ構造の化学結合状態評価Ⅱ
櫻井拓也，松本宏哉，山田晋也，浜屋宏平，宮尾正信，澤野憲太郎，野平博司

第60回応用物理学春季学術講演会　神奈川工科大学　2013年3月

[28p-PA2-2]
Si+イオン注入により導入した点欠陥に関連するSiGe混晶中のアクセプタ準位
佐藤元樹，有元圭介，山中淳二，中川清和，澤野憲太郎，白木靖寛

[29p-G7-10]
HEPESによるFe3Si/Geヘテロ構造の評価
松本宏哉，山田晋也，笠原健司，浜屋宏平，澤野憲太郎，宮尾正信，野平博司

[27p-PA4-11]
水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱現象を利用した多結晶Si形成技術とデバイスへの応用
中家大希，荒井哲司，大平隆裕，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，高松利行，澤野憲太郎，白木靖寛

第73回応用物理学会学術講演会　愛媛大学　松山大学　2012年9月

[13p-PA10-6]
角度分解X線光電子分光法によるGeにδドープしたSbの深さ方向分布
渡邉将人，榑林　徹，星　裕介，澤野憲太郎，白木靖寛，野平博司

[13a-J-4]
n-GeへのSbデルタドーピングにおけるSi添加の効果
竹内嘉寛，澤野憲太郎，星　祐介，浜屋宏平，宮尾正信，丸泉琢也，白木靖寛

[13a-J-7]
CMPによるGe表面の平坦化と歪みGOI (111) 基板の作製
遠藤冴己，星　裕介，久保智史，澤野憲太郎，浜屋宏平，宮尾正信，白木靖寛

[13a-J-8]
選択的イオン注入法により歪み制御したSiGe疑似基板上への一軸歪みSiGeチャネル形成
荘司雄太郎，永倉　壮，星　裕介，澤野憲太郎，宇佐美徳隆，中川清和，白木靖寛

[13a-J-11]
伸張歪みSi/SiGe/Si(110)薄膜構造の形成とpMOSFETの特性評価
三井翔平，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，澤野憲太郎，白木靖寛

[11p-PB2-8]
硬X線光電子分光法によるSiO2/4H-SiC構造の酸化膜中の炭素分布の推定
岡田葉月，澤野憲太郎，野平博司

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会　早稲田大学　2012年3月

[17a-B4-3]
Fe3Si/n+-Ge/n-Ge素子におけるスピン蓄積の生成・検出
竹本剛太郎，馬場雄三，笠原健司，山田晋也，星　裕介，澤野憲太郎，宮尾正信，浜屋宏平　

[17a-B4-10]
Si-MOSFET構造におけるスピン蓄積の検出
真崎紘平，安藤裕一郎，前田雄也，笠原健司，山田晋也，星　裕介，澤野憲太郎，宮尾正信，浜屋宏平　　

[17p-GP16-4]
第一原理計算によるSbドーパント表面偏析挙動の検討（3）
飯島郁弥，伊藤裕美，丸泉琢也，澤野憲太郎，白木靖寛　　

[15p-GP1-13]
Si-capによるHfO2/歪みGe界面のHfジャーマネイト形成の抑制
小松　新，多田隼人，渡邉将人，那須賢太郎，星　祐介，榑林　徹，澤野憲太郎，ミロノフマクシム，白木靖寛，野平博司　　

[16p-GP6-4]
Capping gate構造を有するSi/SiGe量子ドットの作製と評価
福岡佑二，小寺哲夫，武田健太，小幡利顕，吉田勝治，澤野憲太郎，内田　建，白木靖寛，樽茶清吾，小田俊理　　

[17a-E3-2]
Ge/SiGe ヘテロ構造中に形成される二次元正孔ガス中の正孔散乱機構の解析
田中貴久，星　裕介，澤野憲太郎，白木靖寛，伊藤公平　　

[16a-F11-7]
圧縮歪みSi/Si1-XCX/Si(100)ヘテロ構造の形成と評価
酒井翔一朗，古川洋志，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，星　裕介，澤野憲太郎，白木靖寛　　

[16a-F11-8]
(110)傾斜基板上に形成した歪みSiの電子移動度と結晶性との関係
中澤拓希，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，星　裕介，澤野憲太郎，白木靖寛　　

[16a-F11-9]
SiGe/Si(110)ヘテロ構造の正孔移動度測定
小幡智幸，有元圭介，山中淳二，中川清和，星　裕介，澤野憲太郎，白木靖寛，古川洋志　　

[16p-F11-3]
水素ラジカルによる選択加熱現象を利用したSi1-XGeX薄膜形成技術
荒井哲司，川口裕樹，中村浩之，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，高松利行，澤野憲太郎，星　裕介，白木靖寛　　

[17a-DP4-2]
圧縮歪みGeチャネル変調ドープ構造の磁気輸送特性
星　裕介，守谷　頼，澤野憲太郎，宇佐美徳隆，町田友樹，白木靖寛　　

[17a-DP4-5]
Si(110)基板上に形成したSiGe nMOSFETの電子移動度の評価
井門賢輔，小幡智幸，有元圭介，山中淳二，中川清和，星　裕介，澤野憲太郎，白木靖寛　　　　

第72回応用物理学会学術講演会　山形大学　2011年8月

[1p-J-3]
シリコンの価電子帯分散構造の2 軸引っぱり歪みによる変化
武田さくら，田畑裕貴，坂田智裕，アヨブヌル　イダユ，前島尚行，松岡弘憲，稲岡　毅，有馬健太，澤野憲太郎，手塚　勉，片山俊治，吉丸正樹，今村　健，大門　寛

[1p-J-4]
第一原理計算によるドーパント表面偏析挙動の検討（２）
飯島郁弥，澤野憲太郎，丸泉琢也

[1p-M-11]
水素ラジカルによる選択加熱現象を利用した多結晶Si1-xGex形成技術
川口裕樹，荒井哲司，中村浩之，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，高松利行，中川清和，澤野憲太郎，星　裕介，白木靖寛

[1p-P10-3]
Si/SiGe量子ドット構造のシミュレーションと作製
福岡佑二，小寺哲夫，大塚朋廣，武田健太，小幡利顕，吉田勝治，澤野憲太郎，内田建，白木靖寛，樽茶清悟,，小田俊理

[31a-P15-1]
2段階成長法によるSi(111)基板上Ge薄膜の作製
久保智史，星　裕介，澤野憲太郎，浜屋宏平，宮尾正信，有元圭介，山中淳二，中川清和，白木靖寛　

[31a-P15-2]
Ge/Siエピタキシャル成長を利用した薄膜歪GOI(111)構造の形成
星　裕介，澤野憲太郎，浜屋宏平，宮尾正信，白木靖寛　

第58回応用物理学関係連合講演会　神奈川工科大学　2011年3月

[25a-KM-13]
ハンル効果測定を用いた強磁性合金/シリコン界面近傍におけるスピン蓄積の電気的検出
安藤裕一郎，笠原健司，山根一高，馬場雄三，前田雄也，星　裕介，澤野憲太郎，宮尾正信，浜屋宏平　

[24p-KM-1]
圧縮歪ゲルマニウム中の自己拡散
河村踊子，植松真司，伊藤公平，星　裕介，澤野憲太郎，白木靖寛，Eugene Haller，Masksym Myronov

[24p-KM-2]
第一原理計算によるドーパント表面偏析挙動の検討
飯島郁弥，安倍章太郎，澤野憲太郎，丸泉琢也　

[27a-KW-4]
角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 III
小松　新，那須賢太郎，星　裕介，榑林　徹，澤野憲太郎，マクシムミロノフ，野平博司，白木靖寛　　

[26p-KV-6]
Si/SiGe量子ドット作製に向けたPdトップゲート動作点の低電圧化
福岡佑二，小寺哲夫，大塚朋廣，武田健太，小幡利顕，吉田勝治，澤野憲太郎，内田　建，白木靖寛，樽茶清悟，小田俊理　

[27p-KF-2]
貼り合わせ法による歪みGOI基板の作製
星　裕介，栢野竜丞，澤野憲太郎，浜屋宏平，宮尾正信，白木靖寛　　

[27p-KF-3]
水素ラジカルによる選択加熱現象を利用した多結晶ゲルマニウム形成技術
荒井哲司，中村浩之，川口裕樹，山本千綾，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，高松利行，澤野憲太郎，白木靖寛　　

[27p-KF-6]
圧縮歪みSiGe/Si(110)ヘテロ構造の形成と素子応用
小幡智幸，有元圭介，山中淳二，澤野憲太郎，白木靖寛　　

[27p-KF-7]
Si(110)傾斜基板上に形成された歪みSi-nMOSFETにおける電子移動度の評価
中澤拓希，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，澤野憲太郎，白木靖寛　　

[24p-KW-3]
シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演
歪みGeチャネルにおける正孔有効質量の歪み依存性と散乱機構
澤野憲太郎，當山清彦，枡富龍一，岡本　徹，宇佐美徳隆，有元圭介，中川清和，白木靖寛　　

第71回応用物理学会学術講演会　長崎大学　2010年9月

[15p-ZA-12]
角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価 II
小松　新，那須賢太郎，星　裕介，榑林　徹，澤野憲太郎，ミロノフマクシム，野平博司，白木靖寛

[14a-NC-1]
Si/SiGe系2DEGのPdショットゲート制御による結合量子ドットの作製
福岡佑二，小寺哲夫，大塚朋廣，武田健太，小幡利顕，吉田勝治，澤野憲太郎，内田　建，白木靖寛，樽茶清悟，小田俊理

[14p-NH-14]
CVDにより作製した歪みGeチャネルの電気伝導特性
榑林　徹，星　裕介，那須賢太郎，澤野憲太郎，宇佐美徳隆，白木靖寛

[14p-ZQ-3]
(110)面を表面に有する歪みSiの正孔移動度と結晶モフォロジーとの関係
八木聡介，○有元圭介，中川清和，宇佐美徳隆，中嶋一雄，澤野憲太郎，白木靖寛

[14p-ZQ-4]
Ar+およびSi+イオン注入欠陥がSiGe層の歪緩和に与える影響
星　裕介，澤野憲太郎，宇佐美徳隆，有元圭介，中川清和，白木靖寛

[14p-ZQ-5]
イオン注入法によるSi(111)基板上緩和SiGeバッファ層の作製
久保智史，澤野憲太郎，星　裕介，中川清和，白木靖寛

[14p-ZQ-6]
選択的イオン注入法により作製される一軸性歪みSiGeの表面構造評価
永倉　壮，星　裕介，澤野憲太郎，宇佐美徳隆，中川清和，白木靖寛

[14p-ZQ-8]
Ge(111)への高濃度Sbデルタドーピングによる低抵抗コンタクト形成
竹田圭吾，星　裕介，笠原健司，山根一高，澤野憲太郎，浜屋宏平，宮尾正信，白木靖寛

第57回応用物理学関係連合講演会　東海大学　2010年3月

角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価
小松　新，那須賢太郎，星　裕介，榑林　徹，澤野憲太郎，ミロノフマクシム，野平博司，白木靖寛

「シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演」（15分）
Fe3Si/Siショットキートンネルバリアを介したSiへのスピン注入とその電気的検出
安藤裕一郎，上田公二，浜屋宏平，澤野憲太郎，木村　崇，宮尾正信

「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
Fe3Si/Siショットキー障壁を介したSiへの電気的スピン注入・検出
笠原健司，安藤裕一郎，浜屋宏平，木村　崇，澤野憲太郎，宮尾正信

Siキャップ層による歪みGeチャネルの歪み安定性向上
那須賢太郎，澤野憲太郎，星　裕介，榑林　徹，ミロノフマクシム，白木靖寛

Ge濃縮層/SiGe層/Si(100)構造の形成と素子応用
奥村景星，中川清和，有元圭介，山中淳二，佐藤元樹，井上樹範，澤野憲太郎，白木靖寛

選択的イオン注入法により作製された一軸性歪みSiGeの歪み状態に与えるメサエッチの影響
星　裕介，澤野憲太郎，山田淳矩，永倉　壮，有元圭介，宇佐美徳隆，中川清和，白木靖寛

熱処理の歪みSi1-yCy/Siヘテロ構造と素子特性に与える影響
長葭一利，佐藤元樹，井上樹範，伊藤章弘，有元圭介，山中淳二，中川清和，澤野憲太郎，白木靖寛，森谷　敦，井ノ口泰啓，国井泰夫

低抵抗コンタクト形成へ向けたGeへのSbデルタドーピングとその偏析現象
澤野憲太郎，星　裕介，笠原健司，山根一高，浜屋宏平，宮尾正信，白木靖寛

第70回応用物理学会学術講演会　富山大学　2009年9月

Fe3Si/Geエピタキシャル界面のショットキー伝導特性評価
山根一高，榎本雄志，村上達彦，山本健士，安藤裕一郎，浜屋宏平，澤野憲太郎，佐道泰造，宮尾正信

「JJAP論文奨励賞受賞記念講演」（20分）
Introduction of Uniaxial Strain into Si/Ge Heterostructures by Selective Ion Implantation
澤野憲太郎

ショットキー障壁を介したシリコンへのスピン注入とその電気的検出
笠原健司，安藤裕一郎，浜屋宏平，木村　崇，澤野憲太郎，宮尾正信

[10a-P6-6]
HfO2/歪みGeチャネル変調ドープ構造における正孔移動度の正孔密度依存性
星　裕介，佐藤　雄，澤野憲太郎，小川佑太，有元圭介，宇佐美徳隆，中川清和，白木靖寛

[10a-P6-7]
Si(111)基板上へのSiGe層のMBE成長と結晶性評価
小川佑太，星　裕介，澤野憲太郎，有元圭介，中川清和，白木靖寛

As+, B+, Si+ イオン注入したSi-C混晶半導体膜のRTA処理による組織変化
井上樹範，有元圭介，山中淳二，中川清和，澤野憲太郎，白木靖寛，森谷　敦，井ノ口泰啓，国井泰夫

(110)面上に形成された歪みSi薄膜の結晶性の改善
八木聡介，有元圭介，中川清和，宇佐美徳隆，中嶋一雄，澤野憲太郎，白木靖寛

ソース／ドレインの強磁性シリサイド化とスピン注入：Si系スピントランジスタの実現を目指して（30分）
宮尾正信，浜屋宏平，木村　崇，伊藤博介，澤野憲太郎

第56回応用物理学関係連合講演会　筑波大学　2009年3月

μ波プラズマ加熱による金属の選択加熱現象を利用した多結晶シリコン形成技術2
荒井哲司，有泉　慧，池野祐喜，板山泰裕，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，高松利行，澤野憲太郎，白木靖寛

As+イオン注入したSi-C混晶半導体薄膜のRTA処理による組織変化
井上樹範，有元圭介，山中淳二，中川清和，澤野憲太郎，白木靖寛，森谷　敦，井ノ口泰啓，国井泰夫

選択的イオン注入法によりSiGe層に導入される一軸性歪み状態の線幅依存性
星　裕介，澤野憲太郎，平岡良康，山田淳矩，有元圭介，宇佐美徳隆，中川清和，白木靖寛

第69回応用物理学会学術講演会　中部大学　2008年9月

シリコン中リン不純物の低磁場磁気共鳴
森下弘樹，田中弘隆，仙場浩一，レオニドブラセンコ，澤野憲太郎，白木靖寛，伊藤公平

μ波プラズマ中の金属の選択加熱現象を利用した多結晶シリコン形成技術
有泉　慧，芦澤里樹，池野祐喜，板山泰裕，有元圭介，山中淳二，中川清和，荒井哲司，高松利行，澤野憲太郎，白木靖寛

非晶質Siの細線加工による固相成長多結晶Si内部の応力分布の制御
板山泰裕，有元圭介，山中淳二，中川清和，澤野憲太郎，白木靖寛

Ge同位体超格子を用いたGe自己拡散と砒素拡散の同時観測によるGe中の拡散機構の解明
長縄美樹，清水康雄，植松真司，伊藤公平，澤野憲太郎，白木靖寛

Siイオン注入法により作製されたSiGeバッファー層の歪緩和過程
星　裕介，澤野憲太郎，平岡良康，山田淳矩，宇佐美徳隆，中川清和，白木靖寛

Si(110)基板上に形成した歪みSi/SiGe構造の歪み解析
有元圭介，矢嶋利彦，中川清和，宇佐美徳隆，中嶋一雄，澤野憲太郎，白木靖寛

選択的イオン注入により作製したSiGe層における一軸性歪みの観測
山田淳矩，澤野憲太郎，星　裕介，平岡良康，宇佐美徳隆，中川清和，白木靖寛

歪みSi/SiGeヘテロ構造における2次元電子ガスの電気輸送特性の評価
慶大理工，武蔵工大総研　土屋　豪，澤野憲太郎，白木靖寛，伊藤公平

第55回応用物理学関係連合講演会　日本大学　2008年3月

シリコン中のリン不純物磁気共鳴の電気的検出
森下弘樹，伊藤公平，田中弘隆，仙場浩一，ブランセコレオニド，澤野憲太郎，白木靖寛

マイクロ波プラズマ加熱による非晶質シリコンの結晶化における加熱機構
芦澤里樹，有泉　慧，三井　実，有元圭介，山中淳二，中川清和，荒井哲司，高松利行，澤野憲太郎，白木靖寛

アモルファスSiの固相結晶成長に与える酸化膜基板形状の影響
板山泰裕，三井　実，有元圭介，山中淳二，中川清和，澤野憲太郎，白木靖寛

傾斜組成SiGe/Si(110)と均一SiGe/(110)の歪み緩和機構
渡邊正人，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，中嶋一雄，澤野憲太郎，白木靖寛

イオン注入法による高Ge組成薄膜緩和SiGe層の開発
星　裕介，澤野憲太郎，平岡良康，宇佐美徳隆，中川清和，白木靖寛

選択的イオン注入法によるSiGe層の面内歪み制御
平岡良康，星　裕介，河南信治，澤野憲太郎，中川清和，宇佐美徳隆，白木靖寛

選択成長を利用したV溝基板上へのSiGe細線形成と電気伝導特性
川口元気，有元圭介，中川清和，山中淳二，清水香奈，渡邊正人，宇佐美徳隆，澤野憲太郎，白木靖寛

歪みGeチャネル構造における正孔移動度の正孔密度依存性
佐藤　雄，国司侑吾，澤野憲太郎，當山清彦，有元圭介，岡本　徹，宇佐美徳隆，中川清和，白木靖寛

高移動度p-MOSFETのための表面Ge濃縮層/歪みSiGe層構造の形成
佐藤元樹，奥村景星，井上樹範，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，中嶋一雄，澤野憲太郎，白木靖寛

第68回応用物理学会学術講演会　北海道工業大学　2007年8月

非晶質シリコンのマイクロ波加熱による結晶化の雰囲気依存性
芦澤里樹，三井　実，有元圭介，山中淳二，中川清和，荒井哲司，高松利行，澤野憲太郎，白木靖寛

無損傷中性粒子ビームエッチングを用いたSiGe量子ナノディスク積層構造の作製2
米元雅浩，宮本　聡，平野梨伊，澤野憲太郎，伊藤公平，白木靖寛，寒川誠二

TEOS酸化膜の堆積によるsSOI構造の熱的安定性の改善
星　裕介，澤野憲太郎，イアンキャリフォー，吉見　信，白木靖寛

Si(110)基板上に成長した傾斜組成SiGeのモフォロジーの成長温度依存性
渡邊正人，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，中嶋一雄，澤野憲太郎，白木靖寛

圧縮歪みGeにおける正孔有効質量の正孔密度依存性に関する計算
有元圭介，国司侑吾，澤野憲太郎，佐藤　優，當山清彦，岡本　徹，宇佐美徳隆，中川清和，白木靖寛

Demonstration of SiGe heterostructures with room-temperature 2DHG drift mobility and carrier density exceeding those of 2DEG
マクシムミロノフ，澤野憲太郎，伊藤公平，白木靖寛

イオン注入法により作製した薄膜SiGe緩和層上の歪みSi-nMOSFET
澤野憲太郎，福本敦之，星　裕介，中川清和，白木靖寛

Si/歪みSiGe/Si 構造を用いて形成した酸化膜/半導体の界面状態に与える熱酸化時間の影響
三井　実，野澤明子，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，宇佐美徳隆，福田幸夫，澤野憲太郎，白木靖寛

第54回応用物理学関係連合講演会　青山学院大学　2007年3月

金属誘起固相成長法における雰囲気の影響
堀江忠司，三井　実，有元圭介，山中淳二，中川清和，澤野憲太郎，白木靖寛，森谷智一，土井　稔

マイクロ波加熱による非晶質シリコンの結晶化
芦澤里樹，三井　実，堀江忠司，有元圭介，山中淳二，中川清和，荒井哲司，高松利行，澤野憲太郎，白木靖寛

無損傷中性粒子ビーム加工を用いたSiGe量子ナノディスク積層構造の作製
齋藤　卓，米元雅浩，相良暁彦，宮本　聡，澤野憲太郎，伊藤公平，白木靖寛，寒川誠二

SiGe歪み細線構造の構造評価と電気伝導特性
清水香奈，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，澤野憲太郎，白木靖寛

分子線堆積によるSiO2基板上多結晶SiGe薄膜の形成
三井　実，田本　守，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，澤野憲太郎，白木靖寛

Si(110)基板への傾斜組成SiGe 層のガスソースMBE成長
有元圭介，渡邊正人，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，澤野憲太郎，白木靖寛

Si+イオン注入法による高品質SiGeバッファー層の作製
星　裕介，福本敦之，平岡良康，澤野憲太郎，有元圭介，山中淳二，中川清和，白木靖寛

ノンドープSGOI層の電気特性の評価
佐藤元樹，有元圭介，中川清和，山中淳二，宇佐美徳隆，澤野憲太郎，白木靖寛

歪みGeチャネル構造における正孔有効質量の正孔密度依存性
国司侑吾，澤野憲太郎，佐藤　雄，當山清彦，岡本　徹，宇佐美徳隆，中川清和，白木靖寛

歪みGeチャネル/SiGe擬似基板の移動度スペクトル解析
毛利友隆，伊藤公平，澤野憲太郎，ミロノフマクシム，白木靖寛

第67回応用物理学会学術講演会　立命館大学　2006年8月

Ge層を導入した低温ソース・ドレイン領域形成法とそのイオン注入条件の検討
三井　実，有元圭介，中川清和，澤野憲太郎，白木靖寛

SiGe歪み細線構造の形成
清水香奈，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，澤野憲太郎，白木靖寛

Geチャネル構造における正孔有効質量の歪み依存性
国司侑吾，澤野憲太郎，當山清彦，岡本　徹，宇佐美徳隆，中川清和，白木靖寛

Geチャネル構造における散乱要因の歪み依存性
澤野憲太郎，當山清彦，岡本　徹，国司侑吾，宇佐美徳隆，中川清和，白木靖寛

厚膜歪みSOI(sSOI)構造の熱的安定性
星　裕介，福本敦之，澤野憲太郎，イアンキャリフォー，吉見　信，白木靖寛

第53回応用物理学関係連合講演会　武蔵工業大学　2006年3月

走査型トンネル顕微鏡を用いたSiGe-pn接合の評価
田中祐馬，奥井登志子，澤野憲太郎，白木靖寛

Geイオン注入法による超平坦な薄膜SiGe緩和層の作製
福本敦之，澤野憲太郎，星　裕介，有元圭介，山中淳二，中川清和，白木靖寛

SiGe擬似基板の歪み場ゆらぎがその表面洗浄工程に与える影響
澤野憲太郎，大竹省自，宇佐美徳隆，有元圭介，中川清和，白木靖寛

ガスソースMBE法により作製したSiGe/Si(110)における歪み緩和機構の成長温度依存性
有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，澤野憲太郎，白木靖寛

ノンドープ緩和SiGeの電気特性の評価
佐藤元樹，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，澤野憲太郎，白木靖寛

第66回応用物理学会学術講演会　徳島大学　2005年9月

Strain relaxation and surface morphology of new type thin SiGe virtual substrates
ミロノフマクシム，澤野憲太郎，白木靖寛

SiGe緩和バッファー層における歪み場の膜厚依存性
澤野憲太郎，大竹省自，宇佐美徳隆，有元圭介，中川清和，白木靖寛

ラマン分光法によるSi(110)基板上の歪みSi薄膜の歪み率測定
有元圭介，池田周平，中川清和，澤野憲太郎，白木靖寛，宇佐美徳隆

歪みSOI (sSOI) 構造の熱的安定性
福本敦之1，澤野憲太郎，星　裕介，吉見　信，白木靖寛

歪みGeチャネル構造における正孔移動度の正孔濃度依存性
佐藤　光，国司侑吾，澤野憲太郎，白木靖寛，中川清和

SiO2上に形成した多結晶SiGe-TFTのリーク電流評価
三井　実，有元圭介，中川清和，宇佐美徳隆，澤野憲太郎，白木靖寛

SiO2/Si1-xGex界面の電気的評価
土屋勇介，三井　実，有元圭介，中川清和，佐藤哲也，福田幸夫，澤野憲太郎，白木靖寛

第52回応用物理学関係連合講演会　埼玉大学　2005年3月

Geを用いた新規低温ソースドレイン領域形成法
三井　実，有元圭介，山中淳二，中川清和，澤野憲太郎，白木靖寛

Si(110)基板上のSiGe薄膜の結晶構造解析（2）
有元圭介，山中淳二，中川清和，澤野憲太郎，白木靖寛，黄　晋二，宇佐美徳隆

Si薄膜の紫外光励起ラマン分光法を用いたナノレベル深さ分解能応力評価
松田景子，杉江隆一，村上昌孝，井上敬子，吉川正信，澤野憲太郎

第65回応用物理学会学術講演会　東北学院大学　2004年9月

多結晶SiGe薄膜の電気伝導特性評価
三井　実，有元圭介，山中淳二，中川清和，澤野憲太郎，白木靖寛

Si基板上に成長したノンドープ緩和SiGeの電気伝導特性
佐藤元樹，土屋勇介，有元圭介，中川清和，澤野憲太郎，黄　晋二，白木靖寛

歪みGeチャネルヘテロ構造における移動度の歪み依存性
阿部泰宏，小澤優介，澤野憲太郎，有元圭介，中川清和，服部健雄，白木靖寛

歪みGeチャネル変調ドープ構造におけるSiGeバッファー層表面ラフネスの影響
澤野憲太郎，阿部泰宏，小澤優介，有元圭介，中川清和，服部健雄，白木靖寛

第51回応用物理学関係連合講演会　東京工科大学　2004年3月

Si(110)基板上のSiGe薄膜の結晶構造解析
有元圭介，阪本　靖，布留川大輔，山中淳二，中川清和，澤野憲太郎，黄　晋二，白木靖寛，宇佐美徳隆3

イオン注入法によるSiGe緩和バッファー層の歪みゆらぎの低減
小澤優介，澤野憲太郎，山中淳二，宇佐美徳隆，鈴木久美子，有元圭介，黄　晋二，中川清和，服部健雄，白木靖寛

共鳴核反応法によるSiGe表面の水素終端状態の定量的評価
黄　晋二，Markus Wilde，澤野憲太郎，福谷克之，白木靖寛

多結晶Si1-xGex薄膜の形成と電気伝導特性
三井　実，加藤　敦，有元圭介，山中淳二，中川清和，澤野憲太郎，黄　晋二，白木靖寛

太陽電池効率改善におけるGe島状結晶の効果
アルグノアーノルド，宇佐美徳隆，藩　伍根，宇治原　徹，藤原航三，佐崎　元，澤野憲太郎，白木靖寛，横山敬志，中嶋一雄

第64回応用物理学会学術講演会　福岡大学　2003年8月

金属誘起固相成長法により作製した多結晶Si1-xGex薄膜デバイスの電気伝導特性
三井実，加藤敦，有元圭介，中川清和，澤野憲太郎，黄晋二，白木靖寛

イオン注入法による超平坦な薄膜SiGe歪み緩和バッファー層の作製
小澤優介，澤野憲太郎，廣瀬佳久，黄晋二，山中淳二，中川清和，服部健雄，白木靖寛

SiGe緩和バッファー層の歪みゆらぎがヘテロ構造に及ぼす影響
澤野憲太郎，宇佐美徳隆，有元圭介，黄晋二，中川清和，白木靖寛

Si基板上に成長したi-SiGeの電気伝導特性
佐藤元樹，土屋勇介，有元圭介，中川清和，澤野憲太郎，黄晋二，白木靖寛

歪みSi/Si0.7Ge0.3の酸化による深さ方向組成変化
黒岩諭人，廣瀬佳久，野平博司，服部健雄，酒井渉，中嶋薫，鈴木基史，木村健二，澤野憲太郎，白木靖寛，中川清和

積層Geドットを利用した太陽電池のSiスペーサ層厚が量子効率に及ぼす影響
アルグノアーノルド，宇佐美徳隆，藤原航三，宇治原徹，澤野憲太郎，佐崎元，白木靖寛，中嶋一雄

歪みSi MOSFETにおける電子移動度の素子サイズ依存性
有元圭介，阪本靖，布留川大輔，山中淳二，中川清和，澤野憲太郎，黄晋二，白木靖寛，宇佐美徳隆

第63回応用物理学会学術講演会　新潟大学　2002年9月

空間分解ラマン分光法によるSiGe緩和バッファー層の歪み分布測定
澤野憲太郎、宇佐美徳隆、小澤優介、有元圭介、廣瀬佳久、黄晋二、中川清和、服部健雄、白木靖寛

廣瀬佳久、澤野憲太郎、黄晋二、中川清和、服部健雄、白木　靖寛
イオン注入法によるSiGe擬似基板における歪み緩和のドーズ量依存性

第49回応用物理学関係連合講演会　東海大学　2002年3月

CMPにより平坦化されたSiGe擬似基板上の歪みSi変調ドープ構造の作製と評価
澤野憲太郎、廣瀬佳久、河口研一、黄晋二、中川清和、服部健雄、白木靖寛

イオン注入Si基板を用いたSiGe歪み緩和薄膜の作製
廣瀬佳久、澤野憲太郎、黄晋二、*中川清和、服部健雄、白木靖寛

第62回応用物理学会学術講演会　愛知工業大学　2001年9月

超平坦歪み緩和SiGeバッファー層の洗浄過程における表面変化
澤野憲太郎、河口研一、黄晋二、宇佐美徳隆、中川清和、白木靖寛

第48回応用物理学会学術講演会　明治大学　2001年3月

CMP(Chemical Mechanical Polishing)を用いた歪み緩和SiGeバッファー層の表面平坦化
澤野憲太郎、河口研一、上野哲嗣、黄晋二、中川清和、白木靖寛

第47回応用物理学会学術講演会　青山学院大学　2000年3月

AlP電子局在層を有するGaAsP/GaP量子井戸構造におけるポテンシャルゆらぎ
澤野憲太郎、池田学、大平圭介、有元圭介、宇佐美徳隆、白木靖寛