応用物理学会

応用物理学会にて、高林 昂紀君、山堀 俊太君、勝俣 洋典君、橋本 秀明君が発表しました。

高林 昂紀（修士2年）

「熱酸化を用いた表面不活性化による引っ張り歪みGe on Siの発光強度増大」

山堀 俊太（修士2年）

「高空間分解能HXPESとXPSによる歪み及び組成がSiGe価電子帯に与える影響の検出」

勝俣 洋典（修士2年）

「Pのin-situドーピングにより作製したn型GOIの電気伝導特性」

橋本 秀明（学部4年）

「引っ張り歪みGOIのCMP薄膜化による発光強度増大」