長嶋智典君と米倉瑛介君が、シンガポールにて開催された国際会議International SiGe Technology and Device Meeting（6月2日～4日）にて口頭発表を行いました。
長嶋智典（修士2年）
講演タイトル「Electrical properties of strained Ge(111)-on-Insulator (GOI) fabricated by Ge epitaxy on Si and layer transfer」
米倉瑛介（修士2年）
講演タイトル「Formation of uniaxially strained SiGe with high Ge concentrations by selective ion implantation」