島根県の松江くにびきメッセで開催された、半導体の欠陥に関する国際会議 ICDS2017(29th International Conference on Defects in Semiconductors) にて M2 此島さん、M1 大木君が発表しました。
発表タイトル
大木 健司
「Effects of ion implantation defects on strain relaxation of SiGe layers on Si(110)」
此島 志織
「Formation of uniaxially strained Ge by local introduction of ion implantation defects」
