福岡国際会議場で開催された応用物理学会において、下記7名の大学院生が発表してきました。
初めて発表する人も多かったですが、他大学や企業の研究者とたっぷり議論を交わし、
博多滞在も大いに満喫して、一回り大きくなって東京へ戻ってきました！
お疲れ様でした。
M2
岡重 柊汰 「Spin-on-dopant拡散によるGeダイオードの電流注入での発光」
滝沢 耕平 「ARXPSによるsoft-ICP エッチングプロセスがダイヤモンド半導体表面に与える影響」
M1
大木 健司 「二段階成長法を用いたSi(110)基板上Ge層の作製と評価」
大谷 俊貴 「Rib構造を有する薄型Si太陽電池の作製プロセス」
繁澤 えり子 「エピタキシャルGe上の直接ALDによるAl2O3層の形成と評価」
高橋 怜美 「Rib構造を有する薄型Si太陽電池の特性評価」
原田 波子 「Ge量子ドットへのP-Spin-on-Dopingが発光特性に与える効果」
