日本経済新聞電子版
日本経済新聞電子版に、Ge発光デバイスの研究成果が掲載されました。「2015年8月20日付 日経産業新聞」
ナノエレクトロニクス研究室 澤野研究室
日本経済新聞電子版に、Ge発光デバイスの研究成果が掲載されました。「2015年8月20日付 日経産業新聞」
第76回応用物理学会秋季学術講演会（名古屋国際会議場）にて、荒井君、加藤さん、橋本君が発表しました。荒井 仁（修士２年）「AR-XPSによる4H-SiC (0001)の初期酸化過程の解明」加藤まどか（修士１年）「Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果」
福島県郡山市にて研究室合宿を行いました。英論紹介や白木先生によるご講演などを行いました。福島再生可能エネルギー研究所（FREA）の見学を行いました。レクリエーションとしてフットサルを行いました。
徐 講師 が応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 研究奨励賞 を受賞しました！おめでとうございます!!対象論文：「Waveguide-integrated microdisk light-emitting diode and photodetector based on Ge
応用物理学会にて、高林 昂紀君、山堀 俊太君、勝俣 洋典君、橋本 秀明君が発表しました。高林 昂紀（修士2年）「熱酸化を用いた表面不活性化による引っ張り歪みGe on Siの発光強度増大」山堀 俊太（修士2年）「高空間分解能HXPESとXPSによる歪み及び組成がSi
山堀俊太君と笹子知弥君が、メキシコ・カンクンで開催された国際会議2014 ECS and SMWQ Joint International Meeting(10/5～9)にて発表を行いました。山堀 俊太(修士2年)講演タイトル「Detection of Effect of Stra
西田圭佑君(2014年3月修士課程修了)が、応用物理学会講演奨励賞受賞の快挙を成し遂げました!!おめでとうございます!!http://www.jsap.or.jp/activities/award/lecture/dai36kai.html第36回（2014年春季）応用物理
長嶋智典君と米倉瑛介君が、シンガポールにて開催された国際会議International SiGe Technology and Device Meeting（6月2日～4日）にて口頭発表を行いました。長嶋智典（修士2年）講演タイトル「Electrical properties of