応用物理学会にて発表
2024年3月22日～25日に東京都市大学にて開催された第71回 応用物理学会春季学術講演会において、M2の長尾君、B4の関君が口頭発表を行いました。 選択的イオン注入によるGe-on-Si(111)上歪みSiGeへのクラック発生の抑制長尾 優希、小田島 綾華、井上 貴裕、山田 道洋、浜屋
ナノエレクトロニクス研究室 澤野研究室
2024年3月22日～25日に東京都市大学にて開催された第71回 応用物理学会春季学術講演会において、M2の長尾君、B4の関君が口頭発表を行いました。 選択的イオン注入によるGe-on-Si(111)上歪みSiGeへのクラック発生の抑制長尾 優希、小田島 綾華、井上 貴裕、山田 道洋、浜屋
3月19日に修了式・卒業式が開催されました。M2の7人、B4の8人が修士課程、学士を修了しました。おめでとうございます！博士課程・修士課程に進む人、会社に入る人、皆さん、大学で養った力を糧に、これからも頑張ってください！困ったときはいつでも戻ってきてください。
3月1日にM2の送別会を開催しました。これまで研究と後輩の世話と、ありがとうございました。学会や論文などがある人は、あともう少し頑張ってください。M2の先
2024年1月19日に研究室の新年会を開催しました。今年もよい成果を目指して研究を頑張りましょう！
2023年12月13～15日に、東京ビッグサイトにて開催された、半導体関連の国内最大規模の展示会である「SEMICON Japan 2023」に、総研ナノエレクトロニクス研究センターとして出展しました。研究室の４年生、大学院生がブースにて研究展示の説明を行いました。多くの半導体デバイス・メーカー、
2013年12月14日に第215回 総研セミナーを、ナノエレクトロニクス研究センター主催で開催しました。 ナノエレクトロニクス研究センターは、2004年の総研発足当初から、クリーンルームを拠点として半導体の最先端の研究を進めて参りました。昨年度、世田谷キャンパス新棟にクリーンルームが新た
博士課程に後期から入学したHasanさんの歓迎会を行いました。これからも、皆さんで力を合わせて研究を頑張っていきましょう！
中国の厦門理工学院（Xiamen University of Technology）の学生3名が、さくらサイエンス プログラム（JST）の一環で研究室に滞在し、半導体デバイスの実験を行いながら、研究室の学生と交流を深めました。都市大学食にて昼食学生同士でお台場へ