国際会議 ICDS2017(29th International Conference on Defects in Semiconductors)
島根県の松江くにびきメッセで開催された、半導体の欠陥に関する国際会議 ICDS2017(29th International Conference on Defects in Semiconductors) にて M2 此島さん、M1 大木君が発表しました。発表タイトル大木 健司
ナノエレクトロニクス研究室 澤野研究室
島根県の松江くにびきメッセで開催された、半導体の欠陥に関する国際会議 ICDS2017(29th International Conference on Defects in Semiconductors) にて M2 此島さん、M1 大木君が発表しました。発表タイトル大木 健司
オープンキャンパス、電気電子工学科の展示において、ナノエレクトロニクス研究室の研究紹介をしました。多くの来場者に、LEDの元となる半導体ウェハーの発光や、太陽電池の発電の仕組みを体験してもらいました。卒論生と大学院生が、一生懸命に研究紹介をしました。分かってもらえたでしょうか？
2017年5月14-19日にイギリスのWarwick大学にて、シリコン半導体の国際会議ICSI-10が開催されました。ナノエレクトロニクス研究室 修士1年の熊澤君と神田君がそれぞれ口頭発表とポスター発表を行いました。2人とも、ゲルマニウム発光デバイスに関する各々の研究成果を、存分に海外の研究者にア
M2の橋本君が、2016年11月7日に開催された「応用物理学会 結晶工学分科会研究会(未来塾)」にて、「円形ブラッグ・グレーティングを有するGeマイクロディスクの共振PL」というタイトルで発表し、みごと2016年度分科会発表奨励賞を受賞しました。おめでとうございます！https://ann
2016年10月2-7日にホノルルで開催された国際会議 ECS PRiME 2016において、澤野先生が2件の招待講演を行いました。また、M2の橋本君が口頭発表を行いました。Kentarou Sawano“Anisotropic Strain Introduction into Si/Ge
新潟市の朱鷺メッセにて開催された応用物理学会にて、M2 佐藤君、橋本君、加藤さん、M1 大久保君、大野君、篠塚君、4年高橋さんが発表しました。「高濃度n型ドープGeマイクロディスクの共振フォトルミネセンス」橋本 秀明、徐 学俊、澤野 憲太郎、丸泉 琢也「ヘテロ接合型Si太陽
フランス モンペリエで開催されたMBE国際会議にて、M2 橋本君、加藤さんが発表しました。19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2016)「Fabrication of high-quality s
長野県北佐久郡にて研究室合宿を行いました。研究紹介や白木先生によるご講演などを行いました。レクリエーションやバーベキューを行い、親睦を深めました。