国際会議 PRiME 2016にて招待講演
2016年10月2-7日にホノルルで開催された国際会議 ECS PRiME 2016において、澤野先生が2件の招待講演を行いました。また、M2の橋本君が口頭発表を行いました。Kentarou Sawano“Anisotropic Strain Introduction into Si/Ge
ナノエレクトロニクス研究室 澤野研究室
2016年10月2-7日にホノルルで開催された国際会議 ECS PRiME 2016において、澤野先生が2件の招待講演を行いました。また、M2の橋本君が口頭発表を行いました。Kentarou Sawano“Anisotropic Strain Introduction into Si/Ge
新潟市の朱鷺メッセにて開催された応用物理学会にて、M2 佐藤君、橋本君、加藤さん、M1 大久保君、大野君、篠塚君、4年高橋さんが発表しました。「高濃度n型ドープGeマイクロディスクの共振フォトルミネセンス」橋本 秀明、徐 学俊、澤野 憲太郎、丸泉 琢也「ヘテロ接合型Si太陽
フランス モンペリエで開催されたMBE国際会議にて、M2 橋本君、加藤さんが発表しました。19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2016)「Fabrication of high-quality s
長野県北佐久郡にて研究室合宿を行いました。研究紹介や白木先生によるご講演などを行いました。レクリエーションやバーベキューを行い、親睦を深めました。
修士1年の此島さんが第18回結晶成長国際会議で発表を行いました。(The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy)「Fabrication of uniaxially strained Ge by se
日本経済新聞にGOI基板開発の研究成果が掲載されました。「2016年5月30日付 日本経済新聞」
修士2年の矢島君、松尾君、渡邊君、修士1年の松下君、佐藤君、学部4年の久保田君が応用物理学会で発表を行いました。「SiGeストップ層を用いた歪みGe-On-Insulator構造の形成技術開発」矢島 佑樹、澤野 憲太郎「貼り合わせ法による一軸性歪みSiGe-on-Insul
修士1年の橋本秀明君が、三島で開催された「第21回電子デバイス界面テクノロジー研究会」にて、 「Enhanced Light Emission from Surface-Passivated Tensile-Strained Ge-on-Insulator」というタイトルで口頭発表を行い、見事「服