お知らせ

       

2016年08月11日

         

第18回結晶成長国際会議

修士1年の此島さんが第18回結晶成長国際会議で発表を行いました。(The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy)「Fabrication of uniaxially strained Ge by se

       

2016年05月03日

         

日本経済新聞掲載

日本経済新聞にGOI基板開発の研究成果が掲載されました。「2016年5月30日付　日本経済新聞」

       

2016年03月19日

         

2016年　応用物理学会

修士2年の矢島君、松尾君、渡邊君、修士1年の松下君、佐藤君、学部4年の久保田君が応用物理学会で発表を行いました。「SiGeストップ層を用いた歪みGe-On-Insulator構造の形成技術開発」矢島 佑樹、澤野 憲太郎「貼り合わせ法による一軸性歪みSiGe-on-Insul

       

2016年01月23日

         

第21回電子デバイス界面テクノロジー研究会

修士1年の橋本秀明君が、三島で開催された「第21回電子デバイス界面テクノロジー研究会」にて、 「Enhanced Light Emission from Surface-Passivated Tensile-Strained Ge-on-Insulator」というタイトルで口頭発表を行い、見事「服

       

2015年11月19日

         

2015年 ワイン会

毎年恒例、B3の歓迎会を兼ねた「ワイン会」を総合研究所で開催しました。

       

2015年10月05日

         

日本経済新聞電子版

日本経済新聞電子版に、Ge発光デバイスの研究成果が掲載されました。「2015年8月20日付　日経産業新聞」

       

2015年09月16日

         

第76回応用物理学会秋季学術講演

第76回応用物理学会秋季学術講演会（名古屋国際会議場）にて、荒井君、加藤さん、橋本君が発表しました。荒井 仁（修士２年）「AR-XPSによる4H-SiC (0001)の初期酸化過程の解明」加藤まどか（修士１年）「Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果」

       

2015年08月25日

         

研究室合宿

福島県郡山市にて研究室合宿を行いました。英論紹介や白木先生によるご講演などを行いました。福島再生可能エネルギー研究所（FREA）の見学を行いました。レクリエーションとしてフットサルを行いました。