教 授
D3
井上 貴裕
D1
Tanbhir Hasan
小田島 綾華
菊岡 柊也
M2
居藤 智鷹
芝原 夕夏
青木 宇宙
今井 広
奥谷 惇
武井 爽一郎
吉川 修
吉田 雄一
M1
相川 茉由
石川 陸
石橋 脩悟
関 祥真
那和 大気
溝口 稜太
横木 亮河
蔡政坤
郭遥
B4
臼井 亮祐
大塚 直樹
加藤 惠太郎
川原 永習
久木元 俊太
久保田 聖
酒井 悠輔
永嶋 野乃香
能勢 健太
萩原 智大
大学院 修了者
2023年度 修士修了
小田島 綾華
「歪みGeマイクロブリッジを用いたSi系発光デバイスの作製と評価」
金澤 伶奈
「SiGe/Ge多重量子井戸構造ELデバイスの作製」
菊岡 柊也
「歪みSiGe/Ge量子井戸LEDのダイオード特性と室温EL発光」
駒澤 卓哉
「引っ張り歪みGeを用いた2軸マイクロブリッジ構造作製と発光特性及び歪み評価」
櫻井 優一
「貼り合わせ法を用いた大面積 Ge on insulator(111)の作製」
佐野 汐音
「貼り合わせ法を用いたGOI(Germanium On Insulator)構造の作製および評価」
長尾 優希
「歪みSiGe/Ge半導体ヘテロ構造の欠陥抑制に関する研究」
2022年度修了
博士修了
我妻 勇哉
「歪みSiGe/Ge半導体ヘテロ構造の形成と欠陥制御に関する研究」
修士修了
池ヶ谷玲雄
「歪みGeマイクロブリッジ構造を用いたSi系発光デバイスの作製と評価」
佐々木雅至
「Ge-on-Si (100) p-i-n 構造を用いた室温 EL 発光デバイスの開発」
杉浦由和
「スピントロニクスへ向けたGe(111)EL発光デバイスの作製と評価」
杉本翔悟
「希土類酸化薄膜上に成長させたSi系薄膜の評価」
高松海夕
「レーザーマーカを用いた貼り合わせ法によるGe-on-Insulator(GOI)構造の作製」
三宅拓磨
「中赤外デバイス応用に向けた高性能Si共振器の開発」
渡邉晶
「高密度プラズマ法によるGe高品質MOS構造形成と評価」
2021年度 修士修了
市川大悟
「Ge-on-Si(111)上に成長した歪みSiGe層の結晶性と電気伝導特性の評価」
伊藤拓海
「「貼り合わせ法を用いた薄膜Ge-on-Insulator構造の作製とデバイス応用」
井上貴裕
「歪みGeを用いたSi系発光デバイスの作製と評価」
小俣快晴
「高移動度Ge MISFET実現のためのゲート絶縁膜形成技術開発」
2020年度 修士修了
岡田和也
「「シリコンゲルマニウム歪みヘテロ構造の作製と構造最適化」
山田航大
「ドーピング制御によるGe電流注入発光デバイス開発」
我妻勇哉
「スピンデバイスへ向けたSi/Geヘテロ構造の開発」
2019年度修了
博士修了
Mahfuz Alam
「Structural and electrical properties of Si/Ge heterostructures with various surface orientations」
修士修了
石井大介
「発光デバイスに向けたGeナノ構造の形成と光学特性の評価」
大迫力人
「ガスセンシングに向けたSi中赤外光デバイスの作製及び評価」
柴田翔吾
「SiGeストップ層を用いた高品質Ge-On-Insulator基板の作製」
田村亮貴
「歪みGeを用いた一軸マイクロブリッジ発光デバイスの作製と評価」
新倉健太
「引っ張り歪みGeを用いたSi系発光デバイスの作製と評価」
水口俊希
「n型Ge(111)層の高移動度化に向けたリン不純物及びキャリア密度の制御」
2018年度 修士修了
大島修一郎
「貼り合わせ法を用いた絶縁膜上薄膜Si/Ge基板の作製」
小野貴史
「貼り合わせ法を用いた透明基板上薄膜Geの作製および評価」
熊澤祐太
「引っ張り歪みGeを用いたSi系発光デバイスの作製と評価」
原田波子
「ゲルマニウム量子ドットへのn型ドーピング手法と光学特性に関する研究」
児玉祐輝
「選択的イオン注入法を用いた一軸性歪みSiGeの作製」
大木健司
「二段階成長法を用いた界面制御による高品質Si/Geヘテロ構造の作製」
大野陸
「Rib構造を有する薄型Ge太陽電池の作製プロセス開発」
繁澤えり子
「エピタキシャル成長したチャネル上直接原子層堆積法によるゲート絶縁膜の形成と評価」
2017年度 修士修了
有山祐太
「SiGeエッチングストップ層を用いたGermanium on Insulatorの作製と電気特性評価」
此島志織
「選択的イオン注入法による一軸性歪みGeの作製と評価」
小林翼
「一軸性歪みSilicon-Germanium On Insulator形成に向けたイオン注入法の開発」
坂本優
「Ge(111)基板上の歪みSi1-xGex膜成長と臨界膜厚の評価に関する研究」
佐藤慶次郎
「歪みGeチャネルMOSの作製及び電気的特性の評価」
澤田浩介
「高品質歪みGeチャネルMOS構造の作製と電気伝導特性に関する研究」
宮崎正規
「選択的イオン注入法を用いた異方性ゆがみSiGe疑似基盤の作製及び評価」
2016年度 修士修了
池上和彦
「圧縮歪みGeチャネルMOSの作製及び電気的特性の解析と評価」
加藤まどか
「イオン注入法を用いたSi(110)基板上の高品質Si/Geへテロ構造の作製・評価」
設樂那由太
「貼り合わせ法による高引っ張り歪みGe-on-Quartz (GOQ)基板の作製」
橋本秀明
「引っ張り歪みGeを用いたSi系発光デバイスの作製と評価」
松下奨
「引っ張り歪みGeブリッジ型発光構造の作製と評価」
2015年度 修士修了
松尾拓哉
「貼り合わせ法による一軸性歪みSiGe-on-Insulator(SGOI)の作製」
矢島佑樹
「SiGeストップ層を用いた歪みGe-On-Insulator（G01)構造の形成技術開発」
吉田圭佑
「引っ張り歪みGeを用いたSi系発光デバイスの作製と評価」
渡邊幸樹
「Ge量子ドットを用いた光学デバイスの作製と評価」
2014年度 修士修了
深山剛
「歪みGeチャネルMOS構造における電気輸送特性の評価」
船橋直貴
「選択的イオン注入法によるサブミクロン領域における一軸性歪みSiGe層の作製及び評価」
荘司雄太郎
「高速デバイスに向けたⅣ族半導体の一軸性歪み制御とドーパント解析」
勝俣洋典
「Si基板上直接成長Ge層の高移動度化」
滝澤寛之
「歪みSiGeマイクロブリッジの作製と評価」
田中研也
「Ge/Si界面にPのデルタドーピングを行ったGe量子ドットの室温発光」
米倉瑛介
「選択的イオン注入法を用いた一軸性歪みGeチャネル層の作製及び評価」
長嶋智典
「歪みGe-on-Insulator基板の形成技術開発」
髙林昂紀
「引っ張り歪みGeを用いたSi系発光デバイスの作製と評価」
2013年度 修士修了
西田圭佑
「引っ張り歪みGeを用いたSi系発光デバイスの作製と評価」
竹内嘉寛
「高速ＧｅＭＯＳＦＥＴに向けたコンタクト形成技術開発」
中間達哉
「Ｓｉ系微小共振器の作製と特性評価」
田村侑也
「フォトニック結晶を用いたＳｉ変調器の作製及び評価」
上方聖矢
「ゲルマニウム系フォトディテクタの開発」
遠藤冴己
「貼り合わせ法を用いた歪みGOI(Ge-on-Insulator)(111)構造の形成技術開発」
2012年度 修士修了 （白木研究室）
谷口亮介
「ＲＣＥフォトディテクターの作製および評価」
千葉太一
「Ｇｅ量子ドットと微小共振器との融合によるＳｉ系発光デバイスの研究」
山田聡
「Ｓi（111）基板上一軸性歪みＳiＧeバッファー層の開発」